エネルギーインフラ

Solar Solutions Energy Storage DC Fast EV Charging UPS
太陽光発電ソリューション エネルギー貯蔵 急速DC EV充電 UPS
エネルギーインフラの進化

オンセミはお客様の設計課題を理解し、解決に向けてサポートします。

完全なエンドツーエンドのサプライチェーン

オンセミのSiC製造バリューチェーンの完全な管理についてご覧ください。

ソリューション

オンセミは、次世代パワーセミコンダクターの革新的な技術、高い信頼性と効率性、品質において数十年におよぶ経験を生かし、超高密度や電力損失にかかるコストを克服しつつ、開発時間を短縮します。お客様とその製造チームがより良い世界の形成に貢献している確信がもてるよう支援します。

無停電電源装置 (UPS)
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急速DC EV 充電

より高速なスイッチングで、よりコンパクトな最終製品を実現

1200V M3S SiC MOSFETは、競合製品に比べて、ハードスイッチング用途において最大20%の電力損失削減を実現します。

詳細

フルSiC＆ハイブリッドSiCモジュール

オンセミのパッケージ技術は、優れた性能、ディスクリートデバイスよりも低い熱抵抗、業界標準のピン配列に適合する容易な実装パッケージのために最適化されています。

ハイブリッドモジュール フルSiCモジュールフルSiCモジュール

設計の現実を正確に予測する物理的でスケーラブルなSPICEモデル

SPICEモデリングはすべて同じではありません。オンセミのSPICEモデルは、シミュレーション結果を次のレベルに引き上げ、市場投入までの時間を短縮します。

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EliteSiC ダイオードファミリ

ファミリ

電圧

最適化

最適な用途

D1

製品

650 V, 1200 V, 1700 V

大きいダイ寸法で低いRTHと最大サージ定格電流

  • Vienna整流器の入力段

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D2

製品

650 V

大きいダイ寸法で低いRTHと最大サージ定格電流

  • PFCステージ
  • 出力整流

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製品

1200 V

低Vf高速スイッチング

  • PFCステージ
  • 出力整流

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    ファミリ

    電圧

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    製品

    1200 V, 1700 V

    大きいダイ寸法で低いRTH


    スイッチング損失と導通損失のバランス

    • DC-DCソリッドステートリレー
    • トラクション＆モータドライバ
    • ハードスイッチングアプリケーション

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    M2

    製品

    650 V, 750 V, 1200 V

    低速域アプリケーション用向け最低RDS(ON)

    • DC-DCソリッドステートリレー
    • トラクション＆モータドライバ

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    M3

    製品

    1200 V

    15V〜18Vゲート駆動による高速スイッチングアプリケーション

    • ハードスイッチングアプリケーション
    • LLC共振アプリケーション

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      Heat pump is a proven way to provide secure and sustainable heating which is powered by low‐emissions electricity, is the central technology in the global transition to secure and sustainable heating.

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      MOSFETの基本

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      オンセミのM1 1200V SiC MOSFET＆モジュール：特徴と駆動の推奨事項

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      最新のパワーエレクトロニクス デバイスの物理ベースのスケーラブルなSPICEモデリング手法

      オンセミの物理ベースのスケーラブルなSPICEモデルが、シミュレーション結果を次のレベルに引き上げ、その結果、市場投入までの時間を短縮させる方法について解説します。

      SiC MOSFET：ゲートドライブ最適化

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      パワーパッケージ・ヒートシンク実装ガイド

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      SiC MOSFETを効率的に駆動させるための絶縁型ゲートドライバの使用ガイドライン

      SiC MOSFETは、パワー用途においてIGBTの真の代替品になっています。絶縁型ゲートドライバは、IGBTおよびMOSFETにおいて信頼性の高い制御を提供することにより、SiCなどの技術が要求するスイッチング最高速度やシステムサイズの制約に対応するよう設計されています。ここでは、スイッチング損失を最小限に抑え、デバイスを最大限に活用するために、速度を考慮したゲート駆動電圧の最適な設計に焦点を当てます。

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