宇宙向け放射線耐性強化および高信頼性ASIC

ソリューション

オンセミは、宇宙および高信頼性アプリケーションに不可欠なRHBD (Radiation Hardened by Design) ソリューションを提供しています。当社の110nmのデジタル特定用途向け集積回路 (ASIC: Application Specific Integrated Circuit) プロセスで提供されるこの設計ソリューションには、セルフリストアリングロジック (SRL) と呼ばれる新しいフリップフロップアーキテクチャが含まれています。SRLは、高LET (Linear Energy Transfer) でシングルイベント効果に対する耐性を示すと共に最大700MHzで動作するので、従来のRHBDフリップフロップアーキテクチャよりもはるかに優れています。

その他の機能として、誤り訂正符号 (ECC) 機能内蔵の耐ラッチアップデュアルポートSRAM、強化クロック素子、高速I/Oセル、耐シングルイベントラッチアップセルなどがあります。これらのセルは、既存のデジタルASICフローと互換性があるため、価格設定、開発期間、製造周期の面で優れたメリットを提供します。オンセミには、放射線の影響を緩和するための幅広い設計ソリューションがあります。

強化IPと実績ある商用ASIC開発フローを組み合わせて、設計および用途面の多様なニーズに対応する成果をもたらします。当社におけるASICの歴史は50年にわたるものであり、それには、数多くの仕様に基づく設計、お客様との関係、FPGAへの転換の成功事例が含まれています。110nmのRHBDの機能が加わったことにより、オンセミは、ASICについて受け継がれた伝統を発展させ、既存および新規のお客様のニーズに対応できるようになりました。