パワーモジュール

IGBTモジュールはトラクションやソーラーインバータ、エネルギー貯蔵システム、無停電電源装置、モータ駆動のDC-ACステージで使用されます。

MOSFET モジュールは、車載用モータ駆動およびオンボード・チャージャー・アプリケーションに使用されます。これらのモジュールには、スーパージャンクション技術とセンスレジスタを備えた40 V、60 V、80 V、650 Vの定格があります。シックスパックとフルおよびハーフブリッジ・トポロジのほかに、トーテムポールPFCトポロジもあります。

Si/SiCハイブリッド・モジュールにはIGBT、シリコン・ダイオード、SiCダイオードが統合されており、ソーラーインバータ、エネルギー貯蔵システムおよび無停電電源装置のDC-ACステージで使用されます。

Hybrid Si/SiC (Silicon/Silicon Carbide) modules are integrated IGBT power modules with high power density. They have lower switching losses than nonhybrid modules, and they can also work at higher temperatures than other types of semiconductors.

Si/SiC hybrid modules have several uses including being used in high-power applications that need low losses. They may also be used in higher temperature environments than comparable Si modules. For systems requiring high-frequency switching, Si/SiC hybrid modules provide better efficiency.

民生用、産業用、車載用機器向けのゲートドライバ内蔵の高電圧パワーモジュールです。50 Wから 10 kWまでの電力レベルに対応する幅広い3相インバータ・モジュールを提供します。PFCや入力ブリッジ整流器など、各種トポロジで利用できます。

SiCモジュールには、SiC MOSFETとSiCダイオードが統合されています。昇圧モジュールはソーラーインバータのDC-DCステージに使用されます。これらのモジュールは、定格電圧1200 VのSiC MOSFETとSiCダイオードを使用しています。

A Silicon Carbide (SiC) Module is a power module that operates with Silicon Carbide semiconductors for its switch. The purpose of a SiC power module is the transformation of electrical power through switches to improve system efficiency.

The primary function of SiC Modules is to transform electrical power. Silicon Carbide offers an advantage over silicon because, with less resistance to move away from the source (due to increased efficiency), SiC devices can operate at a higher switching frequency. A SiC based system is also more compact and lightweight than a silicon solution, allowing for smaller designs. Therefore, SiC devices are the ideal solution for situations where you want to increase efficiency and improve your thermal management.