オンセミ、シリコンカーバイドJFET技術の買収でAIデータセンター向けパワー製品ポートフォリオを強化

Qorvo社のSiC JFET事業と子会社United Silicon Carbideの買収でオンセミの市場機会は5年以内に13億ドル拡大の見込み

2024年12月11日（米国2024年12月9日発表）- オンセミ（onsemi、本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、Qorvo社から子会社のUnited Silicon Carbideを含むSiC JFET（シリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ）技術の事業を、1億1500万米ドルの現金で買収する契約を締結したことを発表しました。この買収は、オンセミの広範なEliteSiCパワー製品ポートフォリオを補完し、AIデータセンター向け電源ユニットのAC-DCステージでの高いエネルギー効率と電力密度に対するニーズに応えることができます。さらに、EVバッテリディスコネクトやソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）などの新しい市場へのオンセミの取り組みを加速させます。

SiC JFETは、チップ面積当たりのオン抵抗が最も小さく、使用面積は他の技術の半分以下です。また、何十年にわたってシリコンベースのトランジスタに利用されてきた、一般的な市販のドライバを使用することもできます。このような利点が、より迅速な開発、消費エネルギーの低減、システムコストの削減を実現し、電源設計者やデータセンター事業者に大きな価値をもたらします。

オンセミでパワーソリューションズ・グループのグループ・プレジデントを務めるサイモン・キートン（Simon Keeton）は、次のように述べています。「AIのワークロードが複雑化し、エネルギー消費が増加するのに伴い、高いエネルギー効率で高電圧に対応できる、信頼性の高いSiC JFETの重要性は一段と高まるでしょう。Qorvoの業界をリードするSiC JFET技術が加わることで、オンセミのインテリジェントパワーのポートフォリオは、エネルギー消費の最適化と、電力密度の向上を実現する、新たなソリューションを提供します」

この買収は慣習的な成立条件を満たした後、2025年第1四半期に完了する見込みです。

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