業界初の機能でカスタマイズによる確度の向上と回路性能の改善を実現

複雑なパワーエレクトロニクスアプリケーションのシステムレベルのシミュレーションでは、最初から適切な設計を行うことが非常に重要です。オンセミのセルフサービスPLECSモデルジェネレータにより、パワーエレクトロニクスの設計者は自由にカスタムのハイファイシステムレベルPLCESモデルを作成することができます。作成したモデルはシミュレーションプラットフォームで直接使用、もしくはEliteパワーシミュレータにアップロードしてシミュレーションを実行できます。

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ハードスイッチングとソフトスイッチング

一般的な業界のシステムレベルシミュレータは、ハードスイッチングにのみ有効なPLECSモデルを採用しているため、ソフトスイッチングアプリケーションのシミュレーション結果はきわめて不正確です。オンセミは、DC-DC LLCおよびCLLC共振、デュアルアクティブブリッジ、フェーズシフト・フルブリッジなど、ハードスイッチングとソフトスイッチング両方のアプリケーションに有効な業界初のPLECSモデルを通じて、先端技術の進歩を牽引してきました。

カスタムアプリケーション寄生成分

伝導損失とスイッチングエネルギー損失に大きく影響するユーザ指定のアプリケーション回路寄生成分に合わせて調整されます。

高密度で広範な損失テーブル

伝導損失およびスイッチングエネルギー損失データに対するユーザ指定の電気的バイアスおよび温度条件に合わせて調整されます。ユーザは密度の高いテーブルを作成して、システムシミュレーションにおいて正確な内挿を保証し、不正確な外挿を避けることができます。

コーナーモデル

コーナーモデルは、製品の一般的条件とコーナー条件に対して有効であり、ユーザは伝導損失とスイッチングエネルギー損失の最悪ケース、公称ケース、最良ケースの製造条件でのアプリケーション性能を追跡できるようになります。


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User Guide

ユーザガイド

Eliteパワーシミュレータの使い方を説明します。

User Guide

アプリケーションノート

Eliteパワーシミュレータの他と異なる特徴と実際のシミュレーション環境への組込み方法を説明します。

チュートリアル

オンセミのシミュレーションツールの使い方を説明します。

User Guide

EliteSiC ファミリ

オンセミのEliteSiC製品は優れた性能と厳格な品質基準を備えた製品を提供します。

FS7 IGBT

オンセミのField Stop 7 (FS7) IGBT製品は、オートモーティブ市場やインダストリアル市場で業界をリードする性能を発揮します。

PowerTrench® T10 MOSFET

T10 MOSFETは、業界をリードするRDS (on)、高電力密度、スイッチング損失の低減、優れた熱性能を実現し、システム全体のコストを削減します。

新しい物理ベースのスケーラブルなSPICEモデル手法の活用

長年にわたって培ったシミュレーションの専門知識により、オンセミの物理的にスケーラブルなSPICEモデルは、パワーエレクトロニクス回路内のSiCデバイスの挙動を高速かつ効率的にシミュレートし、製品開発に必要な時間を短縮します。

ホワイトペーパー

物理的にスケーラブルなSPICEモデルにより、モデル化されたコンポーネントの物理構造を考慮することで、回路内の挙動がより正確に表現されます。これは従来のモデルでは十分な確度が得られない可能性がある、新しいテクノロジノードの場合に特に重要です。

物理ベースのSPICEモデルは、異なるテクノロジノードに対してスケーラブルです。つまり、同じモデルを使用して、他のプロセステクノロジのコンポーネントをシミュレートできるため、テクノロジノードごとに新しいモデルを作成するのに必要な時間と労力を削減できます。

ユーザは回路の性能をより正確に予測することができるため、設計プロセスの早い段階で性能ボトルネックを特定し、修正するのに役立ちます。


オンセミのEliteSiCを自分の環境に取り込む

寄生コンデンサ、
漏れインダクタ…

オンセミの製品を使ったシステム/アプリケーション のシミュレーション

EliteSiC製品、FS 7 IGBT、
PowerTrench® MOSFET

セルフサービスPLECS
モデルジェネレータ

PLECSモデルをアップロード

Eliteパワー
シミュレータ

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独自に使用するため、寄生効果を考慮
したハイファイシステムレベルPLECS
モデルを作成

直感的で使いやすいフロー

ユーザのシステム/アプリケーション
の温度、損失などを迅速に報告

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