Flash Memory | LE25U40CMD

シリアル・フラッシュメモリ、4 Mb (512K x 8)

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LE25U40CMD は、高性能デュアル出力とデュアル I/O 機能を追加する 4M ビット (512K x 8 ビット) 構成の SPI バス・フラッシュメモリ・デバイスです。2.5V 電源を 1 個使用します。LE25U40CMD は、シリアル・フラッシュメモリ・デバイスに固有の特徴をほとんど持ちながら、8 ピンの超小型パッケージに収められています。このデバイスが、ますます小型化を要求されている携帯用情報端末などのアプリケーションへのプログラムの格納に理想的なのは、これらの特徴すべてによるものです。また、LE25U40CMD は、小分割セクタ消去機能も持っているため、再書き込みサイクルが少なく、従来の EEPROM では容量不足で対処できないパラメータやデータの格納に適しています。

  • SPI Bus Flash Memory Devices

  • ポータブル情報機器

  • 2.5V単一電源によるリード/ライト動作が可能 :
    電源電圧範囲 2.3V～3.6V
  • 動作周波数 ：40MHz
  • 高信頼性リード/ライト
    書換え回数 : 100,000回
    小セクタイレーズ時間 : 40ms(typ), 150ms(max)
    セクタイレーズ時間 : 80ms(typ), 250ms(max)
    チップイレーズ時間 : 250ms(typ), 2.0s(max)
    ページプログラム時間 : 4.0ms/256バイト(typ), 5.0ms/256バイト(max)
  • データ保持期間 : 20 年
  • 温度範囲 ：-40°C～85°C
  • シリアルインタフェース :
    標準SPI Mode0, Mode3対応/Dual Output, Dual I/O対応
  • セクタサイズ : 4Kバイト/小セクタ, 64Kバイト/セクタ
  • 小セクタイレーズ、セクタイレーズ、チップイレーズ機能
  • ページプログラム機能 : 256バイト/ページ
  • ブロックプロテクト機能
  • ステータス機能 : レディー/ビジー情報、プロテクト情報

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MSL Temp (°C)

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Organization

tACC Max (ns)

VCC Min (V)

VCC Max (V)

I(standby) Max (µA)

Iact Max (mA)

T Min (°C)

T Max (°C)

Reference Price

LE25U40CMDTWG

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Pb

A

H

P

SOIC-8

751BD

2

260

REEL

2000

N

4 Mb

512k x 8

11

2.3

3.6

50

6

-40

85

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信頼性データ

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Device: LE25U40CMDTWG

Equivalent to wafer fab process: ONC18

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

ONC18

2

6465777234

More Details

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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