Voltage Protection | NCP367

過電圧プロテクタ OCP および VBAT 検出搭載

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NCP367 は充電パス保護デバイスで、不適切な充電状態が検出されるとシステムを出力ピンから切断することができます。最大 +28 V までの正の過電圧保護を備えています。このデバイスは内部 Power MOS を使用しているため、外部デバイスは不要であり、システム・コストとアプリケーション・ボードの PCB 面積を削減します。NCP367 は、入力電圧が過電圧閾値 (複数利用可) または低電圧閾値 1.85 V (UVLO) を超える場合) に、統合された低 Ron Power PMOS (50 mΩ) により、出力を入力から即時に切断できます。パワーアップ時 (EN (BAR) ピン = 低レベル) に、Vin が低電圧閾値を超えた後、Vout は 50 ms でオンになります。追加の過電流保護機能により、外部で選択可能な充電電流が電流制限を超えると内部 PMOS FET の電源を切ります。電流制限値は制御ロジック・ピンで変更して内部ゲインで分けることができ、USB 100 mA/500 mA の充電や USB/電源アダプタの充電が過電流閾値まで可能になります。同時に、リチウムイオン電圧が継続的に監視され、充電時の安全性が高くなります。サーマル・シャットダウン保護もあります。NCP367 はネガティブ・ゴーイング・フラグ (FLAG (BAR)) 出力により、障害が発生するとアラートシステムに送信します。加えて、1.0 µF 以上のキャパシタによってバイパスされた場合の ESD 保護入力 (15 kV Air) があります。

  • Cell Phones, Camera Phones, Digital Still Cameras, Personal Digital
  • Overvoltage protection up to 28 V
  • On-Chip low RDS(on) NMOS transistor: 50 mΩ
  • Overvoltage lockout (OVLO)
  • Undervoltage lockout (UVLO) 1.85 V
  • Soft start
  • Alert FLAG(BAR) output and Shutdown EN(BAR) input
  • Adjustable current limit and gain select

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VCC Max (V)

P(AV) Max (W)

VIT+ Typ (V)

VIT Typ (V)

IDDH Max (µA)

TA Min (°C)

TA Max (°C)

Reference Price

NCP367DPMUECTBG

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CAD Model

Pb

A

H

P

DFN-8

506BP

1

260

REEL

3000

N

1.2

28

0.3

5.85

5.75

130

-40

85

$0.3224

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NCP367DPMUEETBG

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DFN-8

506BP

1

260

REEL

3000

N

1.2

28

0.3

6.07

5.97

130

-40

85

$0.3615

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NCP367DPMUELTBG

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CAD Model

Pb

A

H

P

DFN-8

506BP

1

260

REEL

3000

N

1.2

28

0.3

6.84

6.74

130

-40

85

$0.32

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NCP367OPMUEOTBG

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CAD Model

Pb

A

H

P

DFN-8

506BP

1

260

REEL

3000

N

1.2

28

0.9

7.2

7.1

130

-40

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