N チャネル PowerTrench® MOSFET 25V、35A、14mΩ

Obsolete

Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。低ゲート電荷、低 rDS(ON) 、高速スイッチング速度向けに最適化されています。

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  • 最大 rDS(on) = 14.0mΩ @ VGS = 10V、ID = 35A
  • 最大 rDS(on)このNチャンネルMOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーを使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善できるように特に設計されています。 少量のゲート電荷、小rDS(on)、高速スイッチングスピードに最適化されています。 = 21.0m? @t VGS= 4.5V、ID = 33A
  • 少量のゲート電荷: Qg(TOT) = 12.6nC(通常)、VGS = 10V
  • 低ゲート抵抗
  • RoHS対応

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製品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDD8778

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

Small Signal

Logic

0

Single

0

25

14

20

2.5

35

39

-

21

9.4

6.7

635

-

-

-

-

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