HUF75639S3S

N チャネル UltraFET パワー MOSFET 100V、56A、25mΩ

Overview

これらの N チャネル・パワー MOSFET は、革新的な UltraFET® プロセスを使用して製造されています。この高度なプロセス技術により、各シリコン面積の最大限の低オン抵抗を実現し、卓越した性能を提供します。このデバイスは、アバランシェ・モードで高エネルギーに対応でき、ダイオードは短時間での逆回復と蓄積電荷の低減を果たします。ポータブルおよびバッテリ駆動製品のスイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバ、低電圧バススイッチ、電源管理など、電力効率が重要なアプリケーションでの使用を目的として設計しました。

アプリケーション

AC-DC商用パワーサプライ
家電製品
DC-DC商用パワーサプライ
デスクトップPC
ディストリビューション

特長

56A、100V
温度補償PSPICEおよび SABER™ 電気モデル
SPICE® およびSABER温度インピーダンスモデル
ピーク電流対パルス幅曲線
UIS定格曲線これらのNチャンネルパワーMOSFETは革新的なUltraFETプロセスを使用して製造されています。この高度なプロセス技術はシリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現し、優れた性能を発揮します。このデバイスは電子なだれモードで高エネルギーに耐えることができ、ダイオードは非常に低い逆回復時間と保存電荷を示します。ポータブル機器およびバッテリー駆動製品のスイッチングレギュレーター、スイッチングコンバーター、モータードライバー、リレードライバー、低電圧バススイッチ、パワーマネージメントなど、電力効率が重要な用途のために設計されています。

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_gs (V)

V_gs(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

Reference Price

HUF75639S3ST

Active

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

245

REEL

800

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

Single

100

±20

200

2000

320

500

$1.1805

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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Low/Medium Voltage MOSFETs | HUF75639S3S

N チャネル UltraFET パワー MOSFET 100V、56A、25mΩ

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