FQP3P50

Power MOSFET、Pチャネル、QFET®、-500 V、-2.7 A、4.9 Ω、TO-220

Overview

このNチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正（PFC）、および電子ランプバラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

-2.7A、-500V、R_DS(on) = 4.9Ω(最大) @V_GS = -10 V、I_D = -1.35A
少量のゲート電荷 (通常 18nC)
低C_rss (通常 9.5pF)
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_GS Max (V)

V_gs(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

Reference Price

FQP3P50

Active

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

P-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

Single

-500

4900

±30

-5

-2.7

510

9.2

1500

9.5

$0.7198

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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