IGBT、600V、3A、1.2V、DPAK、プレーナ

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Overview

当社の絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は、非常に低い伝導損失を提供します。このデバイスは、非常に低いオン電圧降下が機能として要求されるアプリケーション向けに設計されています。

  • 高電流能力:
  • 非常に低い飽和電圧: VCE(sat) = 1.2 V @ IC = 3 A
  • 高入力インピーダンス

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGD3N60LSDTM

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

N

-

600

6

1.2

1.5

1

0.25

234

2.64

12.5

-

-

40

Yes

$0.4457

More Details

FGD3N60LSDTM-T

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

N

-

600

6

-

1.5

1.9

0.3

234

2.64

12.5

-

-

40

-

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